半导体平面图

概览

文学项目或将几何图案写入光敏活性电阻中,这样后沉降、蚀刻和植出就会产生晶体管并相互连接。 现代制造在许多对齐的层间重复了这种循环,与纳米相容.

技术基础

光学投影遵循的是波长和数值孔径的分辨率关系,过程因子由发出、遮罩并抵抗决定。 极端紫外线活字法使用大约13个半纳米的辐射和多层反射光学,因为材料在波长时吸收很强. 面具是反射的,在真空中运作。 化学放大能抵抗接触后烘焙过程中的相光活化作用,提高敏感性并同时引入扩散和分泌变异. 当一幅图像不能满足投出要求时,多版图可以将密集布局分给各暴露地.

如何运作

面具和光学系统形成空中图像以抵抗. 曝光的可溶性变化,开发揭示出一种模式和过程步骤将其转移到底片中. 极端紫外线系统使用反光学,而计算校正则重塑了遮罩特性来补偿分流和过程效应.

衡量和研究方法

计量学采用临界-分仪扫描电子显微镜,光谱散射测量和上覆目标来跟踪瓦弗变异. 空中图像模拟和光学相近修正重塑口罩,从而可以使印刷边向接近设计意图. 过程-窗口实验的焦点和剂量各不相同,而缺陷检查必须发现稀有口罩、颗粒并抵御大面积范围内的各种故障。 统计过程控制将曝光、烘焙和沉积测量联系起来。 线接角粗糙和有条理的缺失或被桥连接需要分布,而不仅仅是特征大小(second special)由于一个缺陷可以使一通电路失效.

二. 主要想法

• 被打印的特征大小取决于波长,数值孔径和过程控制.
• 层相叠错可以和单级分辨率一样重要.
• 必须在数十亿个重复结构中控制缺陷概率。

目前的研究领域

研究开发出高数字-孔径极紫外线系统,改进了电阻性能活化能力(resistance)相通并有定向自组. 芯片集成和三维堆放改变了对缩写值的评估,但保留了要求很高的模式并覆盖需要。 机器学习在要求物理和fab特定验证的同时,会加速口罩优化与缺陷分类. 开放的挑战包括源电,镜像寿命期相机检查等. Photoelectron统计和不断上升的资本成本。 可持续制造还必须解决能源、超纯水和每个功能装置的工艺化学用途问题。

为什么它很重要

平面图能持续地改进计算、内存和传感器,并整合光学取景器(optics)、等离子物理出质仪 (phasy synamic)以及化学分解机理及统计过程控制。

限制和未决问题

短波源,口罩和抗药性很昂贵而复杂. 相光和化学变异造成罕见的缺陷,较小的特点提高了对污染、线性粗糙度以及热力-机械漂移等现象的认识。